Samsung назвала свою останню мобільну пам’ять проривом у виробництві
Це перша в галузі оперативна пам'ять LPDDR5 DRAM, виготовлена за технологією 10-нанометрового класу третьего покоління (1z).
Samsung любить похизуватися своїм прогресом у виготовленні мікросхем пам’яті, але цього разу компанія створила щось дійсно особливе. Корейська фірма оголосила про початок масового виробництва 16-гігабітних мікросхем мобільної оперативної пам’яті LPDDR5. Поки що єдині, вони виготовлені з використанням літографії.
Пропускна здатність мікросхем сягає 6,4 Гбіт/с — вона приблизно на 16% вища, ніж та, що пропонувалася у більш ранніх 12-гігабітних чіпах. Виробник відмічає, що використання першого комерційного техпроцесу 1z також дозволило зробити мікросхему на 30% тонше — це може внести свою лепту у створення більш тонких телефонів або додаткових місць для таких компонентів, як батареї і камери.
Samsung позиціонує нову пам’ять як ідеальну для смартфонів флагманського класу. У перспективі південнокорейський електронний гігант планує розширити пропозицію LPDDR5, охопивши автомобільний ринок завдяки випуску мікросхем, розрахованих на розширений температурний діапазон та більш суворі вимоги надійності.