Samsung відкриває нову дослідницьку лабораторію в Кремнієвій долині для розробки мікросхем пам’яті 3D DRAM наступного покоління

Південнокорейський технологічний гігант Samsung подвоює свої зусилля в галузі мікросхем пам’яті, відкривши нову дослідницьку лабораторію в Кремнієвій долині, США. Ця лабораторія, підпорядкована американському підрозділу компанії DSA, зосередиться на розробці наступного покоління технології 3D DRAM, що має на меті зберегти позиції Samsung як провідного світового виробника мікросхем пам’яті.

Компанія активно працює над розробкою інноваційних структур DRAM з використанням суб-10-нм технологій виробництва. Агентство Yonhap повідомляє, що ця проривна технологія, як очікується, дозволить створювати мікросхеми пам’яті більшої ємності – до 100 Гб на мікросхему.

Компанія Samsung не новачок у розробці пам’яті, вперше випустивши комерційну вертикальну 3D-пам’ять NAND у 2013 році. Тепер вони можуть стати першими, хто розробить 3D DRAM.

Цей крок з’явився в той час, коли ринок мікросхем пам’яті відновлюється після важкого року. Минулого року напівпровідниковий підрозділ Samsung вперше в історії зазнав збитків через падіння ринку мікросхем.

Бум хмарних серверів після COVID-19 спонукав численні технологічні компанії замовляти значні обсяги чіпів пам’яті. Однак глобальний економічний спад призвів до зниження попиту, що спричинило надлишок чипів пам’яті та падіння цін на них.

Однак завдяки зростаючому попиту на сервери штучного інтелекту, зумовленому такими інструментами, як ChatGPT, ціни на чіпи пам’яті знову зростають. Експерти прогнозують, що 2024 рік буде сильним роком для Samsung та її конкурентів, таких як Micron та SK Hynix.

Зосередженість Samsung на вдосконаленій оперативній пам’яті також може призвести до партнерства з Intel. Їхні мікросхеми оперативної пам’яті LPDDR5X DRAM є потенційними кандидатами для майбутніх процесорів Intel Lunar Lake, які мають бути представлені пізніше цього року. Це партнерство може ще більше зміцнити позиції Samsung на ринку мікросхем пам’яті.