Samsung анонсує карту пам’яті microSD SD Express з рекордною швидкістю читання
Компанія Samsung розпочала розповсюдження зразків карт пам’яті SD Express microSD об’ємом 256 ГБ, які можуть похвалитися вражаючою швидкістю послідовного читання до 800 МБ/с.
Хангу Сон (Hangu Sohn), глобальний віцепрезидент підрозділу Samsung Electronics Brand Storage Division, підкреслив важливість цих досягнень, заявивши, що нові карти пам’яті microSD забезпечують продуктивність на рівні твердотільних накопичувачів і значну ємність у неймовірно компактному формфакторі. Цей технологічний стрибок дозволяє користувачам використовувати можливості найсучасніших додатків як зараз, так і в майбутньому.
Поява карт пам’яті Samsung SD Express microSD знаменує собою значний крок в еволюції карт пам’яті. У той час як традиційні карти пам’яті microSD зазвичай використовують інтерфейс UHS-1 з максимальною швидкістю читання 104 Мб/с, серія SD Express піднімає планку, досягаючи швидкості до 985 Мб/с. Таке експоненціальне збільшення швидкості передачі даних обіцяє революційні можливості для обчислень на різних платформах.
Завдяки протоколу PCIe Gen3x1, SD Express забезпечує вражаючу швидкість, яка конкурує навіть з твердотільними накопичувачами SATA, зі швидкістю читання 800 МБ/с. Це в 1,4 раза більше, ніж у традиційних SSD-накопичувачів, і в чотири рази більше, ніж у звичайних карт пам’яті з інтерфейсом UHS-1. Технологія Dynamic Thermal Guard від Samsung забезпечує оптимальну продуктивність і надійність, регулюючи температуру карти пам’яті навіть під час тривалого використання.
На додаток до своїх високопродуктивних можливостей, карта пам’яті Samsung UHS-1 microSD ємністю 1 ТБ розширює межі можливостей зберігання даних. Завдяки використанню восьми шарів флешпам’яті Samsung V-NAND 8-го покоління ємністю 1 ТБ ця карта microSD забезпечує безпрецедентний потенціал для зберігання даних. Крім того, вона проходить ретельне тестування для забезпечення довговічності та має шість захисних функцій, включаючи водонепроникність, стійкість до екстремальних температур, стійкість до падінь, зносостійкість, захист від рентгенівського випромінювання та антимагнітний захист.