Компанія Samsung офіційно почала постачати свої 3-нм чипи, виконані з використанням транзисторів GAA.
На події були присутні вищі чиновники Міністерства торгівлі, промисловості та енергетики Південної Кореї, а також робробники з Samsung.
На заході компанія заявила про плани “рухатися вперед за допомогою інноваційних технологій, щоб стати найкращою у світі”.
3-нм чипи створені завдяки технології транзисторів GAA (Gate All Around), що забезпечує більш ефективне енергоспоживання та підвищену продуктивність у порівнянні з FinFET. Нові чипи будуть використовуватись у процесорах, призначений для дата-центрів, флагманських планшетів, смартфонів, ноутбуків тощо.